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IXFA5N100P IXFH5N100P
IXFP5N100P
4.5
Fig. 7. Input Admittance
6.0
Fig. 8. Transconductance
4.0
T J = 125oC
5.5
5.0
T J = - 40oC
3.5
3.0
2.5
25oC
- 40oC
4.5
4.0
3.5
25oC
125oC
3.0
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
16
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
14
12
10
8
6
9
8
7
6
5
4
V DS = 500V
I D = 2.5A
I G = 10mA
4
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
2
0
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
4
8
12
16
20
24
28
32
10,000
1,000
100
10
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
1.00
0.10
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_5N100P(55-744)6-27-08
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